DDR3/DDR4/LPDDR4三者的不同點從外部來看主要是通過不同的接口來實現。因此我們從接口實現上來看這三者之間的差異。

DDR3的接口為SSTL(Stub Series Terminated Logic)，匹配電阻上拉到VDDQ/2。

DDR4匹配電阻上拉到VDDQ，可稱為POD(Pseudo Open Drain)，用以減少IO電流消耗。對DDR4的POD來說，drive High(logic level ”1” )幾乎不耗電，可以用這特點搭配DBI(Data bus inversion)來降低功耗。當一個字節里的 ”0” bits比 ”1” bits多時，可以使能DBI，將整個字節的“0”和“1”反轉，這樣 “1” bits就會比“0” bits多，達到省電的效果。

LPDDR4的匹配電阻下拉到VSSQ, 稱為LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic), 這樣可以更省電，LPDDR4靠NMOS 晶體管pull up，也可以工作在更低的電壓。

從上述DDR3到LPDDR4接口設計的演變的呈現，其目的主要是是為了滿足產品對低功耗的要求，因此其工作電壓也變得越來越低。